随着台积电在先进工艺研发方面受挫，全球芯片行业都已认识到先进芯片工艺研发难度越来越大，这条路越来越难推进了，因此芯片企业纷纷探索新的提升芯片性能的技术方向，而chiplet技术就是其中的一个方向，这方面中国芯片恰恰已取得重大进展。

据了解国内芯片企业当中，在chiplet技术上最领先的当属长电科技，长电科技是全球前三大封测企业之一，也是中国技术实力最强的芯片封测企业，早前它宣布已研发成功4纳米chiplet技术，封装面积可以达到1500mm³，并且实现了系统级封装，在全球居于领先地位。

借着长电科技的先进封装技术，中国可以成熟工艺生产出性能领先的芯片，通过将不同工艺的芯片封装在一起，达到4纳米的性能，由此将可以成功绕开当下EUV光刻机对中国发展先进工艺的限制。

中国在chiplet技术的突破，还获得了美国芯片企业的认可，日前消息指国内另一家封测企业通富微电已成功量产5纳米chiplet技术，技术领先优势明显，由于它的技术足够领先，连美国芯片企业巨头AMD都已认可它的技术优势，因此将八成芯片订单交给通富微电，并且合同时间长达数年。

AMD如今已是一家fabless芯片企业，它仅设计芯片，芯片制造、芯片封装都外包给代工企业，依托于芯片技术技术优势，它在PC处理器市场不断挑战美国芯片巨头Intel，在桌面PC市场已击败Intel，技术如此先进的美国芯片企业都将芯片封装交给通富微电，可见中国芯片企业在chiplet技术上已足够领先。

由于众所周知的原因，中国一直都无法获得EUV光刻机，这对于中国研发7纳米及更先进工艺造成了阻碍，目前国内量产的最先进工艺是14纳米，为了提升芯片性能，中国芯片行业一直都在努力寻找新途径。

chiplet技术的突破无疑为中国芯片打开了一扇门，全球领先的chiplet技术将有助于帮助中国芯片行业解决芯片工艺的阻碍，开发出性能先进的芯片，早前龙芯等多家芯片企业公布的性能领先的芯片，就与国产chiplet技术分不开，以国产14纳米工艺生产的处理器与存储芯片等封装在一起，减少各种芯片之间的沟通时间，可以达到提升性能的目的。

当然中国芯片提升芯片性能并不仅限于chiplet技术，中国还在推进量子芯片、光子芯片技术的发展，中科院就发布了3纳米光子晶体管技术，这样的先进技术将可以绕开EUV光刻机的限制，只不过光子芯片商用还需要时间，而chiplet芯片技术则是当前较为现实的技术。

从中国在诸多芯片技术上都有布局并以取得突破性进展，可以看出美国的诸多手段正逐渐失效，中国芯片共同努力下，很快就能打破EUV光刻机的桎梏，甚至有望在未来数年取得芯片行业的技术领先优势，彻底打破美国在芯片技术上的垄断。

中国知名院士倪光南就说过先进技术是买不来的、求不来的，如今美国的做法印证了这一点，在美国的压力之下，中国芯片开始迸发出无限的潜力，不断开创我们自己的芯片技术体系，建立了独立自主的技术体系之后，中国芯片必将立于不败之地。