4月23日，在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区，晶湛半导体和Incize达成了一份战略合作备忘录，双方将在硅基氮化镓外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。据了解，自2019年以来，晶湛半导体和Incize双方在硅基氮化镓外延的质量标准上一直保持着密切合作，合力提升硅基氮化镓外延品质以满足无线通信应用的苛刻需求。两家公司基于对合作成果的认可，决定正式建立合作伙伴关系，以进一步扩大和加强战略合作，将更多创新产品推向充满前景和活力的市场。

随着外延技术的发展，硅基氮化镓通信器件取得了重大进展。然而，射频损耗是硅基氮化镓成为无线通信应用主流技术的重要瓶颈。晶湛通过独有的缓冲层生长技术，大幅降低硅基氮化镓的射频损耗，使其Low-Loss-GaN-产品达到与Trap-rich-SOI相当的水准，为硅基氮化镓成为主流技术铺平道路。