5月31日消息，三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nm-eMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍，支持对写入速率要求更高的应用。

目前三星电子已完成14nm-eMRAM的开发，8nm-eMRAM开发也基本完成，仍计划2027年推出5nm-eMRAM。三星电子认为未来车用领域对eMRAM的需求将持续增长，其产品目前耐温能力已达150~160℃，足以满足汽车行业对半导体的严苛要求。