三星电子:公司正按计划推进eMRAM内存制程升级
时间:2024-06-01 11:18:51
来源:CBC金属网
5月31日消息,三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示,正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级,目前8nm-eMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存,MRAM基于磁性原理,具有非易失性,不需要同DRAM内存一样不断刷新数据,更为节能高效;同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍,支持对写入速率要求更高的应用。
目前三星电子已完成14nm-eMRAM的开发,8nm-eMRAM开发也基本完成,仍计划2027年推出5nm-eMRAM。三星电子认为未来车用领域对eMRAM的需求将持续增长,其产品目前耐温能力已达150~160℃,足以满足汽车行业对半导体的严苛要求。
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