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三星更新半导体工艺路线图,目标是在2027年实现第四代2nm芯片的大规模生产

时间:2024-06-17 11:37:05

来源:CBC金属网

6月14日消息,日前,在圣何塞举行的三星晶圆代工论坛上,三星更新了其半导体工艺路线图,目标是在2027年实现第四代2nm芯片的大规模生产,并在2025年量产升级版4nm硅芯片。据了解,三星的2nm工艺路线涵盖了多个技术节点,首推SF2,随后将依次推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A。第一代2nm工艺SF2将于2025年开始,升级版SF2P将于2026年准备就绪。

第四代SF2Z工艺节点将于2027年投入量产,将采用先进的背面供电网络(BSPDN)技术,以提高能效并降低温度。此外,新的SF4U工艺被称为高价值4nm变体,利用“光学收缩”技术提高了功率、性能和面积,计划于2025年实现量产。

三星晶圆代工业务总裁Choi-Si-young表示,在围绕AI的众多技术不断发展的今天,高性能、低功耗半导体至关重要。他提到,三星计划引入集成化、共封装光学技术,以实现高速、低功耗数据处理。

三星还指出,其全环绕栅极(GAA)晶体管架构在性能和良率方面正日趋成熟。1.4nm工艺(SF1.4)的准备工作“进展顺利,性能和良率目标均已如期实现”,并补充说,公司正在通过材料和结构创新“积极塑造”未来低于1.4nm的工艺技术。

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