中国科学院上海微系统与信息技术研究所的科研团队另辟蹊径，成功研发出了新型“光学硅”——钽酸锂光子芯片。

钽酸锂光子芯片的最大亮点在于其革命性的设计。它采用了最新的低温氧化硅（LTOI）和绝缘体上硅（SOI）技术。这两项技术的结合，使芯片在性能和稳定性上有了显著提升。

低温氧化硅（LTOI）技术：低温氧化硅技术通过降低芯片制造过程中的温度，减少了高温对芯片材料的损害，从而提升了芯片的耐久性和性能。这一技术不仅能降低芯片的功耗，还能提高其计算速度。

绝缘体上硅（SOI）技术：绝缘体上硅技术则通过在芯片中加入一层绝缘体，大大减少了电流泄漏，提升了芯片的能效和可靠性。这项技术使得芯片在高强度运算时仍能保持稳定的性能，不易出现过热等问题。

这两项技术的结合，使得钽酸锂光子芯片在能效和运算速度方面远超同类产品，成为市场上最具竞争力的选择。