据长飞先进官微消息，近日，长飞先进与怀柔实验室在北京成功举办了碳化硅项目科技成果合作转化意向签约仪式。未来，双方将共同推动碳化硅功率器件先进技术研发及成果转化进程，加快能源绿色低碳转型，助力可持续发展。长飞先进总裁陈重国、怀柔实验室功率智慧能源研究中心半导体研究所所长金锐分别代表双方完成了签约。

此前6月份消息，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。接下来将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。

据悉，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。

项目投产后，可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。武汉基地是长飞先进发展战略中至关重要的一环，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。