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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,提高半导体结构的工作性能

时间:2024-11-01 16:01:00

来源:CBC金属网

2024年11月1日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号 CN 118843307 A,申请日期为2023年4月。

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